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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

华东某LED本质片研发企业,因研发整个过程中使用的砷化镓、酸洗铟等III-V族有机化合物,废河中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,设计制作外理投资额1200吨/日。 污废水 营养成分及源头 MOCVD设施清洁工作工业废水 :含三级甲等医院基镉、三级甲等医院基铟等可挥发废金属有机化合物 切割器碾磨废水处理工艺 :含纳米技术级金属材质顆粒 电镀工艺废水处理工艺 :含铜、镍等五金阴离子 治疗方法具体步骤 转型升级使用"氧化物破络+天价属收集+膜分离法"组装方法: 预治疗单元测试 :加药系统亚硫酸氢钠分离充分黑色金属络合物 重要补救机组 : 使用的DTCR血本属收集剂构成不可溶性螯合物 超滤膜体统(UF)挪用脂溶性结构影响物 反渗入(RO)脱盐率>98% 飞灰清理模块 :离心力过滤后交付给危险废弃物进行处理机构外理 以后实际效果 经第3方加测: 总砷占比:0.05mg/L(行业标准0.5mg/L) 镉纯度:0.01mg/L(国家标准0.1mg/L) 水循环率:75% 启动成本费:3.8元/吨水

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